如题，最近新一轮的SLOT1大战已经打响，看了各方面评测真是眼花眼花缭乱。
但是我想玩家最关心的应该是游戏的兼容性和存档机制，但是评测又多相对比较乱，所以我想开个贴子了解一下各个卡的存档机制。
比如各个卡用什么芯片来存档，多大容量，是如何运作的。
AK，SCDS，R4，EZ5，N－CARD等等
AK：独立芯片存档模式。由多颗FLASH+EEPROM组成，具体由三块芯片：4k EEPROM、512K EEPROM、4M FLASH，完全对应正版卡记忆类型（64K/512K这两种ＩＣ的命令序列一样，所以可以用512K替代64K），不需电池，永远不怕存档丢失。存档的备份和装载相对较慢。
记录是先写在存档芯片上，开机运行AK一次后写入TF卡；运行游戏时读取TF上存档到芯片。存档大小同游戏存档本身，4k，64k，512，2M，4M等。
优点是存档安全，不需电池。缺点是存档的备份和装载相对较慢，不过几乎不影响游戏。
NCARD：黄金电容模式，由黄金电容＋SRAM＋掉电保护机制。解决了以前GBA时代的开关机时掉电导致存档损坏丢失的问题。黄金电容的特性是，能保持15－20天电量，每隔15-20天需要1-2秒钟的时间对其进行充电以便维持存档数据，具体方法是把卡插入nds主机，开机1-2秒钟即可充电满档。“黄金电容”是
百万次充电寿命。
目前存档机制：存档首先存在SRAM中，由黄金电容保持其数据（关机后15－20天），开机时需按START把存档备份到NAND芯片（官方可能在下一版中改成开机询问是否备份存档，按A键备份，B键不备份的方式。希望这种方式）。运行游戏时如果SRAM中有此游戏存档，则直接读取；如无存档，则导入NAND中的存档至SRAM；如果有其它游戏存档，则先备份SRAM中存档到NAND，然后导入NAND中的存档至SRAM。存档大小统一256K。
优点是存、读档快。缺点是15－20天如果不开机，则SRAM中存档会丢失，所以要经常备份，建议不玩游戏之前开一次机备份存档。
R4：存档直读模式。存档直接写入TF卡中，读取的时候也直接读取TF卡上的，不用担心丢失存档，也省去了存档了备份和装载过程。R4中有无存档芯片未知。存档大小统一512K。
优点是不用像其它烧录卡要有savelist支持自动识别存档类型，对新游戏也不用选择存档类型，不用担心存档丢失。缺点是由于对游戏的存档打了补丁，所以兼容性相对比较差，如碰到不能运行和存档的游戏，要等待官方更新内核。
M3DSS：由于和R4一样没有存档芯片，所以存档系统和R4完全一样，但是由于内核不能通用，所以就看在遇到问题时谁的更新快了。
SCDS：普通模式同NCARD，也是用黄金电容，使用TF卡，开机自动备份存档到TF卡。
其超级模式（super mode）同R4的直读，游戏兼容性比普通模式差。
存档大小统一256K。
EZ5：刚刚得知，EZ5也是硬件Flash芯片模式。但是和AK不同，EZ5只用了一块4M的存档芯片，虽然说从硬件上能够实现原生Flash写入的只有2M和4M这两种类型，但是4k、64k、512k这三种存档类型都是通过CPLD模拟EEPROM来实现。由于是用FLASH代替EEPROM，EEPROM是按照字节进行读写、无需预先擦除，而FLASH是按照256字节块进行读写并且需要预先擦除。所以FLASH 10万次的寿命在CPLD模拟EEPROM的过程中会大量的进行读写操作，并不是一次存档只读写一次。
目前的存档机制：存档先保存在FLASH芯片中，下次开机再保存到TF卡里面，在进入游戏前，再由TF卡写入到存档芯片中。目前玩家建议EZ官方取消强制存档，用EZ4L的机制，就是在设置中建立一个是否强制存档的选项让玩家来选择，这样可以满足新老用户的需求。TF卡内的游戏存档大小同游戏存档本身，4k，64k，512，2M，4M等。
优点是存档安全，不需电池。缺点是存档的备份和装载比较慢，记录时间比较长，目前比AK慢。还有一个隐患就是存档IC芯片损耗太快希望厂家能能像SC的超级模式一样，使用存档直读模式，直接取写TF卡，避免存档IC的损耗。
如有写错的地方，也请高手指正
12月29号R4优缺点更新完毕
29号17：40分更新M3DSS，个人认为这次更新没有任何意义
原贴地址http://www.ndsbbs.com/read.php?tid=94143
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本帖最后由 tangyuncat 于 2006-12-29 05:45 PM 编辑 ]
